Компания Renesas Technology сообщила о выпуске 4 Гбит микросхем AG-AND, R1FV04G13R и R1FV04G14R, отличающихся высокой скоростью программирования – 10 Мбит/с. Образцы микросхем представлены заказчикам в Японии в сентябре, начало серийного производства запланировано на декабрь текущего года. Как ясно из типа, микросхемы предназначены для использования во всех устройствах, использующих NAND-флэш.
Характеристики | |||
Наименование | R1FV04G13R | R1FV04G14R | |
Организация | 512M words x 8 bits | 256M words x 16 bits | |
Техпроцесс | 90 нм, ячейка AG-AND | ||
Напряжение питания | 2,7~3,6 В | ||
Программирование | Блок | 2048 + 64 байта (1 страница) | |
Время | 600 µс (одновременно 4 банка) | ||
Стирание | Блок | 8192 + 256 байт | |
Время | 1 мс | ||
Чтение | Первичный доступ | 100 µс | |
Цикл | 45 нс | ||
Потребляемый ток (при 3,3 В) | Режим ожидания | 20 µА | |
Операция | 10 мА | ||
Температурный диапазон | 0-70° С | ||
Корпусировка | 48-контактный TSOP type I |