Очередной рекорд плотности памяти от Samsung: компания представила микросхему (выполненную по технологии MCP, multi-chip package) NAND флэш-памяти емкостью 2,5 Гбит, предназначенную для использования в сотовых телефонах. Собственно, последнее обстоятельство является ключевым – Samsung уже демонстрировала MCP емкостью аж в 6 Гбит, однако для сотовых телефонов еще никто подобными вещами не занимался.
В микросхему встроено два чипа NAND флэш-памяти емкостью 1 Гбит и два чипа емкостью 256 Мбит, используемых в качестве буфера для наиболее часто используемых данных.
Утверждается, что скорость работы микросхемы достаточна для записи/просмотра видеофрагментов разрешения 320х240. Напряжение питания – 1,8 В.