Главная » Новости » 2004 » 08 » 18 18 августа 2004

Кремний на сапфире: 100 ГГц – уже не предел!

Поиск путей изготовления полупроводниковых микросхем на новых типах подложек (алмаз, сапфир), идет уже несколько лет. Как стало известно вчера, компания Peregrine Semiconductor сообщила о разработке технологии, позволяющей выпускать чипы по технологии silicon-on-sapphire с соблюдением норм 0,25 мкм. Компания даже начала принимать заказы на изготовление интегральных схем по новой технологии.

Perergine является партнером Oki Electric Industry с сентября 2002 года и владеет собственным заводом по обработке 150-мм полупроводниковых пластин в Австралии, использующегося для изготовления чипов по 0,5-мкм нормам.

Согласно представленным компанией данным, технология silicon-on-sapphire позволяет производить кремниевые транзисторы, чья предельная частота лежит выше 100 ГГц. Ранее это было «по зубам» лишь арсенид-галлиевым полупроводниковым устройствам.

Источник: PC Watch

15:19 18.08.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



август
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.