Компания Infineon Technologies сообщила об успешном завершении тестирования микросхем буферной памяти (advanced memory buffer, AMB), предназначенных для использования на новых поколениях серверных модулей на DDR2 SDRAM (FB-DIMM). Инженерные образцы для FB-DIMM с DDR2 DRAM будут представлены в 4 квартале 2004 года, на рынке решения появятся во второй половине 2005 года.
Появление технологий высокоскоростной памяти и грядущий переход от DDR2 к DDR3, вкупе с увеличивающимися объемами данных, хранимыми и обрабатываемыми серверами, приводит к необходимости разработки новой архитектуры памяти для серверов. Модули, используемые сегодня, имеют параллельный доступ к шине (архитектура multi-drop-bus), в случае FB-DIMM используется канальная архитектура, обеспечивающая туннельное соединение между контроллером памяти и первым модулем на канале и между последующими модулями, находящимися с ним на одном канале. Такая архитектура делает загрузку шины независимой от скорости ввода/вывода DRAM и позволяет увеличить емкость памяти в системе.
На микросхему AMB, располагающуюся на каждом FB-DIMM, возлагаются задачи по сбору и распределению данных от/к микросхем(ам) модуля, буферизации данных и переправлению (или получению) их следующему модулю или контроллеру. Стандарт JEDEC определяет для DDR2 800 максимальную скорость данных на контакт 4,8 Гбит/с; AMB Infineon в настоящее время уже обеспечивает скорость передачи 6 Гбит/с. Стандарт FB-DIMM предусматривает шестикратное увеличение мультиплексирования данных – для снижения физической ширины канала памяти и минимизации задержек при передаче.