Тайваньская Winbond Electronics и немецкая Infineon Technology официально сообщили о подписании соглашения расширении сотрудничества в сфере производства микросхем памяти. По условиям дополнительного соглашения Infineon передает партнеру тренч-технологию производства (0,09-мкм техпроцесс) и технологию эксплуатации 300-мм фабрики.
В свою очередь Winbond будет производить DRAM исключительно для немецкого поставщика памяти. В пресс-релизах компаний отмечено, что наряду с лицензионными отчислениями, которые будет выплачивать тайваньский производитель, обе компании займутся разработкой специализированной памяти для мобильных приложений. На новой фабрике (ее строительство Infineon спонсировать не будет), как отмечают обе компании, планируется выпускать SDRAM с пониженным энергопотреблением и pseudo SRAM (PSRAM)
Новый договор позволит Infineon значительно увеличить количество резервируемых мощностей на 200 и 300-мм фабриках Winbond. Напомним, что в мае 2002 года обе компании подписали соглашение, согласно которому тайваньская компания производила Infineon DRAM на 200-мм подложках с использованием 0,11-мкм технологии последней. Первые микросхемы памяти, выполненные на 300-мм подложках с использованием переданного техпроцесса можно ждать к концу 2005 года – началу 2006 года. К концу 2006 года производительность новой фабрики составит 24 тыс. пластин ежемесячно, в 2007 году это количество удвоится.