Intel сообщила сегодня о том, что установила на своем производстве ультрафиолетовый (EUV) литографический инструмент разработки Exitech. В инструменте используется источник света длиной волны 13,5 нм (жесткий ультрафиолет), что дает возможность создавать изолированные линии шириной 30 нм. В данный момент EUV-литографический инструмент используется для тестирования фоторезистов и фотомасок.
Как мы уже неоднократно сообщали ранее, Intel планирует использовать EUV-литографию для изготовления полупроводниковых микросхем по нормам 32 нм к 2009 году. Прогресс в разработке технологии на текущем этапе тестирования компания относит к path-finding (поиск пути), после чего должен будет наступить этап внедрения в массовое производство.
Главная проблема EUV-литографии заключается в том, что в этом диапазоне длин волн (около 13,5 нм) большинство используемых в обычной оптике материалов излучение поглощают хорошо, в связи с чем подложки приходится помещать в вакуум. Кроме того, вместо рефрактивной оптики для фокусирования 13,5-нм света используется рефлективная. Собирающие зеркала изготовлены с напылением 40 слоев кремния и молибдена. Размер обрабатываемой области составляет около 600 кв. мкм.