Главная » Новости » 2004 » 07 » 28 28 июля 2004

MoSys и Chartered выпустили 1T-SRAM-Q, применив 0,13-мкм технологию

Сразу два пресс-релиза, касающиеся однотранзисторной SRAM (1T-SRAM) поступили от разработчика технологии, компании Monolithic System Technology (MoSys). Первый пресс-релиз касается 1T-SRAM-R с технологией коррекции ошибок Transparent Error Correction: известный контрактный производитель полупроводников, компания SMIC, начала выпуск микросхем с технологией 1T-SRAM-R с использованием норм 0.13-мкм техпроцесса.

Второе сообщение аналогичного содержания касается 1T-SRAM-Q («учетверенной плотности», Quad Density[1,2 кв.мм на Мбит]) и Chartered Semiconductor Manufacturing. Микросхемы памяти также выполнены с использованием 0,13-мкм технологии. В настоящее время компании заняты квалификацией готовых решений, которая находится на последней стадии. Завершение проверок, как отмечается в пресс-релизе, должно завершиться к концу третьего квартала 2004 года.

Как и 1T-SRAM-R, 1T-SRAM-Q характеризуется помимо всего прочего технологией TEC. В основе 1T-SRAM-Q лежит технология Folded Area Capacitor, позволяющая добиться при 0,14-мкм техпроцессе размера ячейки 0,57 квадратных микрона. К настоящему моменту MoSys и Chartered провели квалификацию 1T-SRAM-R, выпустив микросхемы, выполненные по 0,18 и 0,13-мкм техпроцессу и в настоящее время работают над реализацией 1T-SRAM-R с использованием 90-нм техпроцесса, совместно разработанного Сhartered и IBM.

14:13 28.07.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС на iXBT.com

Есть ли у Вас внешний аккумулятор (PowerBank)?
июль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.