Компания Micron Technology сообщила о выпуске и начале поставок образцов 128 Мбит микросхем CellularRAM с пакетным режимом работы – одних из первых компонентов PSRAM такой плотности. Новые микросхемы, как отмечается в пресс-релизе компании, выполнены с использованием архитектуры 6F2.
Решения предназначены для использования в мобильных коммуникационных устройствах; архитектура ячейки позволяет снизить энергопотребление микросхем как в пассивном режиме, так и в режиме обращения. Среди прочих особенностей компонентов отмечены возможность чтения/записи 4,8,16, 32 словами или пакетами, улучшенная совместимость с протоколом пакетного режима работы флэш-памяти, переменная величина задержек, позволяющая как сократить продолжительность задержек и повысить пропускную способность микросхем. Кроме того, спецификация CellularRAM предусматривает использование компонентов в MCP-решениях без необходимости переразводки подложек.
По оценкам менеджера Micron по маркетингу DRAM, исходя из темпов роста производства CellularRAM, можно сделать вывод, что PSRAM может в скором времени заменить обычную асинхронную SRAM в секторе мобильных телефонов. К настоящему моменту портфолио PSRAM Micron выглядело следующим образом:
| 16 Мбит | 32 Мбит | 64 Мбит | 128 Мбит | ||
| Конфигурация | 1 Meg x 16 | 2 Meg x 16 | 4 Meg x 16 | 8 Meg x 16 | |
| Время доступа | Асинхронного | 60 нс, 70 нс, 85 нс | 70 нс, 85 нс | ||
| Пакетный режим (макс. частота) | 66, 80, 104 МГц | ||||
| Внутристраничного | 20 нс, 25 нс | ||||
| Напряжение (ядра) | 1.7-1.95 В | ||||
| Напряжение I/O | 1.7-2.25 В 2.3-2.7 В 2.7-3.3 В | 1.7-1.95 В | |||
| Корпусировка | 6.0 x 8.0 x 1.0mm FBGA | 8.0 x 10.0 x 1.0 VFBGA | |||
| Потребляемый ток (в режиме работы) | 25 мА | 30 мА | |||
| Ток обновления (всего массива) | 70µA | 110µA LP: 90µA | 120µA LP: 100µA | 200µA LP: 160µA | |