Компания Micron Technology сообщила о планах производства микросхем флэш-памяти, которые будут использоваться в картах флэш-памяти, накопителях с интерфейсом USB и прочих системах хранения данных. В лице Micron NAND-флэш получила дополнительную поддержку в «противостоянии» с NOR-флэш: американская компания признала, что сектор памяти этого типа растет самыми большими темпами.
С другой стороны, диверсификация продуктовых линеек NAND, CellularRAM, RLDRAM II и CMOS-матрицами для фотокамер позволяет компании укрепить свои позиции на рынке памяти. К концу 2004 года компания планирует представить на рынке свое первое наименование, 2 Гбит микросхему NAND-флэш. Учитывая начало перехода рынка флэш-карт от 128 Мб к 256 Мб решениям, сроки представления американским производителем памяти 2 Гбит микросхем может считаться своевременным.
Как бы то ни было, а компания, похоже, решила пойти по стопам своего злейшего конкурента, Hynix, которая точно также сделала старт на рынке флэш-памяти, представив микросхемы высокой плотности, вместо того чтобы начать постепенное продвижение, представляя микросхемы низкой плотности. 2 Гбит микросхемы NAND-флэш Micron будут выполнены с использованием норм 90-нм техпроцесса, после чего компания обещает переход на 72 и 58 нм технологии. Планируется, что линейка микросхем NAND-флэш компании будет представлена решениями разной плотности – до 16 Мбит и разных конфигураций.