Вчера состоялось открытие завода компании Inotera Memories, совместного предприятия Infineon и Nanya, созданного в 2002 году. Завод, на строительство которого ушло 18 месяцев, предназначен для обработки 300-мм полупроводниковых пластин, запланированная производительность должна будет составить 50 тысяч пластин в месяц.
Новый завод Inotera будет интегрирован в производственную сеть Infineon, на его базе будет выпускаться оперативная память (DRAM) с соблюдением норм 110 нм, а впоследствии – 90 нм технологического процесса.