Японский производитель памяти, компания Elpida Memory, представила две технологии для DRAM, которые, по словам компании, позволяют увеличить производительность серверов, маршрутизаторов, ПК и «компонентов IT-инфраструктуры».
Первая технология, разработанная совместно с Hitachi, позволяет ускорить поиск маршрута и предназначена для реализации в маршрутизаторах и кэше серверов. Решение позволяет реализовать массивы памяти, использующие по две ячейки для хранения бита данных (именуется в терминах компаний «twin-cell memory») и механизм ускорения [передачи] данных «three-stage sensing». В настоящий момент компании имеют 144 Мбит прототип микросхемы, выполненной с использованием 0,11-мкм техпроцесса. Время произвольного доступа для микросхем составляет 6 нс и менее – теоретически возможно достижение 4,8-нс значения.
Вторая технология касается структуры цепи для 1 Гбит микросхем DRAM, позволяющей поддерживать на одном чипе как DDR, так и DDR2 за счет реализации переключения слоя межсоединений. Прототипы 1 Гбит решений (выполнены с использованием норм 0,10-мкм техпроцесса) позволяют довести пропускную способность DDR до 400 Мбит/с, DDR2 – до 800 Мбит/с.
С подробностями технологий можно ознакомиться на сайте производителя