Компания Samsung Electronics представила 8 Гб модули DDR SDRAM, выполненные на 1 Гбит компонентах (0,10-мкм техпроцесс). Решения предназначены для использования в высокопроизводительных серверах, рабочих станциях и специализированных системах – центры интерактивных коммуникаций, центры обработки данных видеоконференций в реальном масштабе времени, спутниковые коммуникационные системы, и т.п. По оценкам специалистов IDC, именно подобного рода сферы применения приведут к увеличению рынка 1 Гбит микросхем DDR SDRAM до 9,5 млрд. долларов в 2007 году.
Новые модули корейского производителя выполнены в двух вариантах: на двухуровневых (dual-stacked) 1 Гбит DDR SDRAM в TSOP-корпусе и четырехуровневых (quad-stack) 1 Гбит компонентах DDR SDRAM в корпусах FBGA. Таким образом, количество микросхем 8 Гб модулей – 36 (TSOP) в двух рядах (с двух сторон печатной платы) или 18 (FBGA) – с аналогичным размещением.
Использованная компанией FBGA-корпусировка является стандартной и для микросхем DDR2 SDRAM, поэтому, может быть использована при изготовлении модулей на микросхемах нового поколения. Пока же образцы 8 Гб DDR SDRAM DIMM уже поставляются разработчикам серверов.