Наблюдая за полупроводниковой индустрией, нередко убеждаешься в том, что для каждого нового этапа в ее развитии (скажем так, для каждых новых норм технологического процесса) ученые придумывают очередную задачу или проблему, а инженеры ее с успехом решают. На этот раз задачей, которую придумала себе NEC (а точнее, сама NEC Corp. и ее дочернее предприятие NEC Electronics Corp.) стала разработка нового типа внутричипового соединения для 65-нм норм технологического процесса.
Компания разработала многослойную проводниковую структуру на базе меди с диэлектрическими пленками малой диэлектрической проницаемости (low-k) и в результате, как сообщает NEC, получила величину эффективной диэлектрической проницаемости 3.0 (считается невысокой), уменьшение энергопотребления на 15% и увеличение скорости распространения сигнала на 24%.
Как объясняет компания, снижение энергопотребления связано с применением пористого диэлектрического материала (диаметр пор менее микрона) в многослойной структуре, обладающей, тем не менее, высокой емкостью, а увеличение скорости работы обусловлено наличием дополнительного проводника и, соответственно, дополнительных подвижных носителей заряда.