Главная » Новости » 2004 » 06 » 23 23 июня 2004

Hynix анонсировала 4 Гб RDIMM и 2 Гб SO-DIMM

Компания Hynix Semiconductor сообщила о выпуске 4 Гб registered DIMM, выполненных на 1 Гбит компонентах DDR2 533 SDRAM (0,11-мкм техпроцесс) – 36 компонентов, и 2 Гб SO-DIMM (16 компонентов DDR2 533 SDRAM).

Выпуск новых наименований приурочен к представлению Intel чипсетов, поддерживающих DRAM нового поколения. По мнению руководства компании, предложение новых DDR2 решений позволит Hynix удержать свои позиции как на мировом рынке памяти вообще, так и в секторе DDR2 SDRAM в частности.

Напомним, что к настоящему моменту корейский производитель уже представил 1 Гб DDR2 registered модули (RDIMM) для серверов и высокопроизводительных рабочих станций, выполненные также на 1 Гбит компонентах:

  • VDD = 1,8 В, VDDQ = 1,8 В
  • I/O = SSTL_18
  • Линейная скорость обмена данными: 533 Мбит/с на контакт
  • Производительность: до 4300 Мб/с в 64-разрядных системах
  • Поддерживаемые длины пакетов: 4 или 8
  • Задержка на запись данных: WRITE latency = READ latency — 1 такт
  • Дифференциальное стробирование (differential strobe)
  • Внешняя калибровка выходного сигнала (off-chip output driver calibration, OCD)
  • Встроенная терминация (on-die termination, ODT)
10:15 23.06.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.