Компания STMicroelectronics (ST), как сообщил президент компании на прошедшей пресс-конференции, планирует зарезервировать часть своей 8" фабрики в Сингапуре под выпуск в следующем году микросхем NAND-флэш, выполненных с использованием норм 90-нм техпроцесса.
По данным Dataquest, женевская компания по итогам прошлого года занимала четвертое место в рейтинге мировых поставщиков NOR-флэш, но вот на рынке NAND-флэш ST – новичок, поэтому тягаться с такими монстрами, как Samsung и Toshiba пока тяжело, что и заставляет компанию вырабатывать достаточно гибкую политику поведения на рынке. Напомним, что в апреле прошлого года компания заключила соглашение с Hynix Semiconductor о совместной разработке и продажах микросхем NAND-флэш, начиная с 512 Мбит решений.
Компании планируют совместными усилиями выстроить 12" фабрику в Китае – на ней как раз будут выпускаться микросхемы NAND-флэш. Однако, несмотря на существующие слухи, президент STMicroelectronics отметил, что окончательного решения по данному вопросу не принято. На текущий момент STMicroelectronics серийно производит 1 Гбит и 512 Мбит микросхемы, NAND1G и NAND512, которые доступны в двух вариантах – с напряжением питания 1,8 и 3,0 В (NAND01GR3A, NAND512R3A и NAND01GW3A, NAND512W3A соответственно).
Организация микросхем – 32 страницы x 4096 и x 8192 блока, которые при записи и чтении адресуются как единое целое. Скорость удаления блока – 2 мс. Размерность страницы — 528 байт (512 + 16 свободных) или 264 слов (256 + 8 свободных) в зависимости от шины микросхемы — x 8 или x 16. Свободные байты обычно хранятся для идентификации плохих блоков, ECC или программных флагов. Каждый блок выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи; время хранения данных – 10 лет.
В июле 2004 года ST представит образцы 1 и 4 Гбит микросхем NAND-флэш, во втором квартале будущего года – 4 Гбит микросхемы, выполненные с использованием норм 70-нм техпроцесса.
По оценкам обозревателей рынка, ежемесячная производительность 8" фабрики в Сингапуре составляет 38 тыс. пластин, не стоит, впрочем, забывать и о зарезервированных ST мощностях корейского партнера; Hynix во второй половине этого года планирует представить 1 и 2 Гбит микросхемы NAND-флэш, а в следующем квартале производительность линий, выпускающих этот тип памяти, составит 40 тыс. пластин ежемесячно.
По материалам Digitimes