Уж коль скоро производители памяти все чаще полагаются больше на NAND-флэш, чем на системную DRAM, рассмотрим ситуацию в этом секторе рынка. Напомним, что во второй половине 2003 года OEM-производители различных устройств, использующих NAND-флэш, столкнулись с дефицитом микросхем памяти. Как уточняет специальное отделение DRAMeXchange, специализирующееся на рынке энергонезависимой памяти, наибольший спрос пришелся на 512 Мбит и 1 Гбит микросхемы – в декабре прошлого года цена этих наименований повысилась до 20 и 33 долларов соответственно. Из-за факторов, которые мы не раз упоминали в обзорах рынка (увеличение выпуска NAND-флэш Samsung, появление новых игроков и сезонный низкий спрос), на сегодняшний день цена 512 Мбит и 1 Гбит микросхем упала до 9,6 и 16,16 доллара соответственно.
Отвечая на вопрос обозревателей, вице-президент по маркетингу памяти в американском представительстве Samsung, Том Квинн, отметил, что спрос и предложение в секторе NAND-флэш уравновесятся не ранее 2005 года. Все участники рынка – как существующие игроки, так и новички, стараются оставаться конкурентоспособными и, дабы не отстать от спроса, прикладывают максимум усилий к увеличению выпуска микросхем NAND-флэш, использованию новых технологий (как, например, Samsung) и т.п.
Напомним, что специалисты Toshiba предполагают почти двухкратный рост рынка этой памяти в 2004 году: с 3,5 млрд. долларов в 2003 до 6,30 млрд. долларов в 2004 году. В результате в терминах суммарной плотности микросхем рынок вырастет на 180%, цена микросхем снизится на 35-40%. STMicroelectronics в настоящее время серийно производит как 512 Мбит, так и 1 Гбит микросхемы NAND-флэш (1,8 В и 3,3 В варианты). Помимо увеличения выпуска микросхем на линиях Hynix, компания во втором квартале 2005 года начнет выпуска продукции на 8" фабрике в Сингапуре; в июле 2004 года ST представит образцы 1 и 4 Гбит микросхем NAND-флэш, во втором квартале будущего года – 4 Гбит микросхемы, выполненные с использованием норм 70-нм техпроцесса.
Заявившая о своем намерении "перерабатывать" к концу 2004 года до 5 тыс. пластин [ежемесячно] – с тем, чтобы наладить выпуск 512 Мбит микросхем NAND-флэш компания Micron и Infineon, представившая 512 Мбит Twin flash (технология NORM) и готовящаяся обрабатывать к концу года до 10 тыс. пластин, по-видимому, не окажут серьезного влияния на развитие ситуации в секторе NAND-флэш.
| 2003/10/1 | 2003/11/3 | 2003/12/1 | 2004/1/2 | 2004/2/2 | 2004/3/1 | 2004/4/1 | 2004/5/3 | 2004/5/25 | Изменение, % | |
| 512 Мбит | 18.1 | 21.15 | 20.15 | 17.58 | 14.7 | 12.2 | 11.8 | 10.1 | 9.6 | -46,96 |
| 1 Гбит | 28.25 | 34 | 33.3 | 30.86 | 28.52 | 24.44 | 22.62 | 18.3 | 16.16 | -42,80 |