Наконец появилась возможность ознакомить читателей с планами Toshiba по выпуску микросхем памяти для рынка бытовой электроники, сетевого оборудования и мобильных устройств. В настоящее время компания обеспечивает эти секторы NAND-флэш, NOR-флэш высокой плотности, SRAM с пониженным энергопотреблением, PSRAM и MCP-решениями, Network FCRAM и XDR DRAM.
Начнем с флэш-памяти. По оценкам специалистов компании, рынок NAND-флэш в период с 2003 по 2007 годы будет ежегодно увеличиваться на 30% — с 3,5 млрд. долларов до 10,9 млрд. долларов соответственно. Недавно производитель сообщил о начале использования норм 0,09-мкм техпроцесса, который дал возможность выпустить 4 Гбит и 8 Гбит микросхемы MLC NAND.
Для удовлетворения растущего спроса на данный тип памяти, Toshiba в апреле 2004 года начала строительство новой 300-мм фабрики (проект оценен в 2,5 млрд. долларов), которая начнет выпуск продукции во второй половине 2005 финансового года с первоначальной производительностью 10 тыс. пластин ежемесячно, которая впоследствии будет увеличена до 37,5 тыс. пластин. Что касается новых техпроцессов, то в первой половине 2005 финансового года на действующей 200-мм фабрике TAEC начнет серийный выпуск микросхем с использованием 70-нм технологии, в первой половине 2006 года этот же техпроцесс будет применяться на 300-мм фабрике. В 2007 календарном году на новой фабрике будет использоваться уже 55-нм техпроцесс.
Для сектора мобильных приложений компания, как уже отмечалось, предлагает микросхемы в MCP-корпусах. Основная тенденция, прослеживаемая сегодня в MCP-решениях – использование NAND-флэш вместо (или совместно) с NOR-флэш – такие решения оптимальны для хранения данных в различных устройствах, например, телефонах с камерами. Наиболее популярными предлагаемыми TAEC MCP-решениями являются микросхемы, содержащие PSRAM, NOR, NAND и NAND, LPSDRAM. На сегодняшний день компания уже сообщала о планах дальнейшего снижения энергопотребления памяти, предназначенной для использования в сотовых телефонах поколений 2,5 и 3; в частности, будет предложен 1,8 В MCP-вариант, содержащий NOR-флэш с пакетным режимом, PSRAM с пакетным режимом, SRAM с пониженным энергопотреблением, NAND-флэш и (или) LPDSDRAM. Типичными конфигурациями MCP-решений компании станут PSRAM+NOR, PSRAM+NOR+NAND, PSRAM+NOR+NAND+SDRAM или NAND+SDRAM.
Чуть раньше в этом году Toshiba разработала MCP высотой 1,4 мм, который может включать до 9 слоев (например, 6 микросхем, 3 промежуточных слоя). При этом компания использовала новые технологические процессы и технологию крепления чипов, сумев сократить толщину каждой микросхемы до 70 µm. В представленной микросхеме использовалась комбинация SRAM, PSRAM, SDRAM, NOR Flash и NAND Flash; по словам специалистов, если сократить количество компонентов, то можно довести общую высоту решения до 1,0 мм.
В настоящее время Toshiba предлагает PSRAM плотностью от 32 до 128 Мбит, которые используются в мобильных телефонах. Микросхемы PSRAM представляют сосбой "симбиоз" ячеек DRAM – для достижения высокой плотности и внешний интерфейс SRAM, оптимизирующий архитектуру системы. Микросхемы PSRAM Toshiba выполнены по спецификациям, разработанным совместно с NEC Electronics и Fujitsu (Common Specifications for Mobile RAM, COSMORAM) и имеют пакетный режим работы. Каждая из трех компания независимо друг от друга разрабатывает и продает микросхемы памяти этого типа. Одним из последних типов представленных Toshiba микросхем являются 128 Мбит чипы с напряжением питания 1,8 В. В дальнейших планах производителя – выпуск в 2005 году 256 Мбит микросхем, выполненных с использованием 0,11-мкм.
Одновременно с анонсом 1,8 MCP-решения Toshiba представила 128 Мбит микросхемы NOR-флэш, поддерживающие страничный/пакетный режимы работы и выполненные по 0,13-мкм технологии. Это – одно из последних решений в линейке микросхем NOR-флэш плотностью от 16 до 128 Мбит. В 2005 году Toshiba представит 256 Мбит и 512 Мбит микросхемы – с переходом на 90-нм техпроцесс.
Что касается SRAM с пониженным энергопотреблением, то в настоящее время Toshiba предлагает линейку микросхем плотностью 4,8 и 16 Мбит, выполненных по 0,15-мкм технологии, различающихся напряжением питания – от 1,8 до 5 В. В 2004 году компания планирует начать выпуск памяти этого типа с использованием норм 0,13-мкм технологии.
Ну и, наконец, пара слов о сетевой FCRAM. Текущая линейка продуктов, предлагаемая сегодня компанией включает 256 Мбит (x8/x16) Network FCRAM1, 288 Мбит (x18/x36) Network FCRAM2 и 512 Мбит (x8/x16) Network FCRAM1. микросхемы производятся с использованием норм 0,13-мкм техпроцесса и поддерживают скорость передачи данных до 666 Мбит/с. Новое поколение микросхем будет производиться по 110-нм технологии, в 2006 году появятся микросхемы, выполненные по 90-нм технологии и обеспечивающие скорость передачи данных до 1,152 Гбит/с.
В завершение стоит упомянуть о XDR DRAM. В конце 2003 года Toshiba представила образцы 512 Мбит XDR DRAM со скоростью передачи данных до 3,2 ГГц (на базе технологии Rambus). На начальном этапе микросхемы производились по 0,13-мкм технологии, в настоящее время ведется разработка чипов, выполненных по 110-мкм техпроцессу – их серийное производство начнется в 2005 году. В 2006 году компания перейдет на 90-нм технологию.