Главная » Новости » 2004 » 05 » 12 12 мая 2004

Samsung: 256 Мбит Mobile DRAM с шиной x32

Компания Samsung Electronics сообщила о выпуске новых микросхем линейки Mobile DRAM, 256 Мбит DDR SDRAM чипов с шиной x32, предназначенной для использования в сотовых телефонах и выполненных с использованием норм 0,10-мкм техпроцесса.. По словам представителей компании, данные микросхемы позволят повысить качество работы коммуникационных устройств с трехмерной графикой. Образцы микросхем доступны уже в настоящее время, серийное производство запланировано на вторую половину 2004 года.

Разработка – очередное решение серии Mobile Synchronous DRAM, представленной микросхемами обоих типов – как SDR, так и DDR SDRAM плотностью от 64 до 512 Мбит. Скорость передачи данных новых микросхем составляет около 266 Мбит/с на контакт, пропускная способность – 1,064 Гб/с. Низкое энергопотребление микросхем позволяет использовать память не только в сотовых телефонах. Но и в смартфонах, MP3-плеерах, КПК.

К настоящему моменту в линейке 256 Мбит мобильной SDR SDRAM присутствуют серийно производимые K4M563233E (8Mx32) с напряжением Vdd/Vddq 3,0/3,3 В и K4M56323LE с напряжением 2,5/2,5 В, а также K4S563233F и K4S56323LF – с аналогичными напряжениями – в 90-контактных корпусах FBGA, образцы которых представлены в марте.

Источник: GlobeTechnology

13:34 12.05.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



май
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.