Главная » Новости » 2004 » 05 » 11 11 мая 2004

Toshiba и NAND-флэш: выживает агрессивный

Стремление "запихнуть" в один корпус несколько типов памяти и тем самым получить еще несколько процентов рыночной доли в секторе памяти для портативных устройств, похоже, стало для производителей памяти чем-то вроде своеобразного вида спорта. Так компания Toshiba, делясь с журналистами своими планами в отношении NAND-флэш, сообщила о выпуске своего нового MCP-решения с пониженным энергопотреблением.

1,8 В MCP-микросхема является комбинацией NAND-флэш, SRAM и SDRAM-компонентов в CSP-корпусе; помимо этого решение поддерживает микросхемы памяти еще двух типов, включая 1,8 В NOR-флэш с пакетным режимом передачи и pseudoSRAM. По словам специалистов компании, новые MCP-решения вполне могут удовлетворить потребности производителей мобильных телефонов второго и третьего поколений. В отличие от конкурентов, японский производитель может предложить заказчикам решения как с NAND-флэш, так и с NOR-флэш в одинаковом корпусе.

Представленная микросхема может быть предложена в нескольких конфигурациях: с 2-6 слоями (компонентами) и 3 промежуточными слоями. Новые 1,8 В NOR-флэш и PSRAM-компоненты, поддерживающие пакетный режим передачи данных, позволяют, по словам инженеров, несколько увеличить работу мобильных телефонов с файлами. 128 Мбит NOR-флэш имеет организацию 8Mx8, время доступа – 10 нс.

128 Мбит PSRAM в "холостом" режиме потребляет 200 мкА; компонент с организацией 8Mx8 будет предлагаться как в составе MCP, так и как отдельная микросхема, в PFBGA-корпусе. Новый компонент NOR-флэш будет на начальном этапе предлагаться только в составе MCP-решения. Итак, ясно, что основной упор компания делает на использование компонентов NAND-флэш в MCP-микросхемах, которые будут предложены в виде 256 и 512 Мбит решений.

Достаточно агрессивна стратегия японского производителя – спать нельзя – корейские лидеры вовсю расширяются: в ответ на выпуск SLC NAND-флэш, выполненного с использованием норм 90-нм техпроцесса в прошлом месяце Toshiba и SanDisk совместно выпустили первые линейки MLC NAND-флэш по этой же технологии, позже анонсированы 4 и 8 Гбит микросхемы NAND-флэш.

В 2005 году компания планирует представить 1, 2, 4, 8 и 16 Гбит микросхемы NAND-флэш, выполненные с использованием норм 70-нм техпроцесса. 8 Гбит микросхема будет состоять из двух 4 Гбит компонентов, 16 Гбит – из двух 8 Гбит компонентов, то есть, судя по всему, первыми появятся 4,8 и 16 Гбит решения, а 1 и 2 Гбит микросхемы – позже. В середине 2006 или начале 2007 года Toshiba намеревается выпустить 16 Гбит микросхемы, выполненные с использованием норм 55-нм техпроцесса, которые будут производиться Yokkaichi Operations. Серийный выпуск микросхем на 300-мм подложках на этой фабрике начнется во второй половине 2005 года.

Источник: PC Watch

14:39 11.05.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
май
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.