Главная » Новости » 2004 » 05 » 06 6 мая 2004

TSMC разработала MIM-память, готова к массовому производству по 110-нм нормам

Тайваньская компания TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.), являющаяся на сегодняшний день одним из крупнейших поставщиков полупроводниковых чипов, выступила с инициативой создания довольно необычного вида энергонезависимой памяти – на основе структур металл-диэлектрик-металл (metal-insulator-metal, MIM). MIM-память, по словам TSMC, обладает значительно меньшими размерами запоминающей ячейки при выпуске по 90-нм нормам, нежели обычные типы памяти, например, флэш-памяти, которую, в общем-то, и производить по 90-нм нормам пока не умеют.

Однотранзисторные запоминающие ячейки на базе технологии MIM обладают площадью 0,21 кв. мкм и электрической емкостью 5 фемтофарад, что примерно в четыре раза меньше площади ячейки SRAM. Правда, изготовление таких ячеек требует добавления четырех дополнительных фотомасок к стандартным CMOS-процессам. TSMC собирается начать поставки MIM-памяти во второй половине 2005 года.

Дополнительно, TSMC сообщила, что готова начать массовое производство по 110-нм нормам. 110-нм процесс компании является уменьшением 130-нм технологии в масштабе 10%. Одновременно с запуском массового производства по 110-нм технологическим процессам общего назначения ("G"), TSMC будет выпускать низковольтные версии 110-нм чипов ("LV-plus").

Источник: PC Watch

14:30 06.05.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
май
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.