Тайваньская компания TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.), являющаяся на сегодняшний день одним из крупнейших поставщиков полупроводниковых чипов, выступила с инициативой создания довольно необычного вида энергонезависимой памяти – на основе структур металл-диэлектрик-металл (metal-insulator-metal, MIM). MIM-память, по словам TSMC, обладает значительно меньшими размерами запоминающей ячейки при выпуске по 90-нм нормам, нежели обычные типы памяти, например, флэш-памяти, которую, в общем-то, и производить по 90-нм нормам пока не умеют.
Однотранзисторные запоминающие ячейки на базе технологии MIM обладают площадью 0,21 кв. мкм и электрической емкостью 5 фемтофарад, что примерно в четыре раза меньше площади ячейки SRAM. Правда, изготовление таких ячеек требует добавления четырех дополнительных фотомасок к стандартным CMOS-процессам. TSMC собирается начать поставки MIM-памяти во второй половине 2005 года.
Дополнительно, TSMC сообщила, что готова начать массовое производство по 110-нм нормам. 110-нм процесс компании является уменьшением 130-нм технологии в масштабе 10%. Одновременно с запуском массового производства по 110-нм технологическим процессам общего назначения ("G"), TSMC будет выпускать низковольтные версии 110-нм чипов ("LV-plus").