Главная » Новости » 2004 » 04 » 30 30 апреля 2004

Samsung анонсировала 2 Гбит микросхемы NAND-флэш, выполненные по 90-нм технологии

Samsung Electronics, как сообщает ряд источников, сообщила о выпуске новой, скоростной версии 2 Гбит микросхем NAND-флэш, выполненных с использованием норм 90-нм техпроцесса, о которых мы уже упоминали сегодня. Пропускная способность новых микросхем повышена с 16,4 до 24,1 Мб/с – примерно на 47%; время доступа при последовательной скорости/записи для чипов сокращено с 50 до 30 нс.

Всего компания планирует представить три разновидности микросхем, выполненных по 90-нм технологии: однокристальная микросхема 2 Гбит, двухкристальный вариант – 4 Гбит и 4-кристальная версия – 8 Гбит. Кстати, последние микросхемы (1 Гбайт) вполне могут использоваться в качестве в качестве базы для создания новых USB-брелоков, в планшетных ПК, КПК, твердотельных дисках и т.п. Информации о цене микросхем пока не поступало, но вот выпускаемые в настоящее время 2 Гбит микросхемы на сегодняшний день имеют цену около 39 долларов США.

Источник: PC POP

14:37 30.04.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.