Лишь позавчера мы сообщали о том, что STMicroelectronics (совместно с Ovonyx и Intel) разработала чип энергонезависимой памяти, использующей эффект изменения фазы в локальных областях специального полимера – халькогенида (chalcogenide). Сегодня до нас дошли сведения о том, что у голландской фирмы появился корейский конкурент – Samsung на симпозиуме VLSI Technology and Circuits Symposia расскажет о своем 64-Мбит чипе PCRAM (Phase-Change RAM) или C-RAM (Chalcogenide RAM), выполненном по 0,18-мкм нормам. Напомним, что симпозиум, на котором ожидается немало интересных сообщений, пройдет с 15 по 19 июня в Гонолулу.
По словам разработчиков из Samsung, размер ячейки их чипа немного больше, чем у STMicroelectronics – 0,504 кв. мкм против 0,32. Однако время записи в PCRAM Samsung меньше – 100 нс против 110 у STMicroelectronics/Ovonyx.
Следующим шагом в работе корейской компании должен стать выпуск 256-Мбит чипа PCRAM. Несмотря на свои недостатки (высокое энергопотребление при записи), этот тип памяти привлекает к себе интерес для использования в устройствах, где не требуется частая перезапись данных.