Европейская компания STMicroelectronics совместно с североамериканской Ovonyx сообщают о разработке чипа энергонезависимой памяти, использующего достаточно нестандартный подход для кодирования записываемой информации – в виде разных фаз в микроскопических областях полимера халькогенида (chalcogenide). В своей совместной работе, которая будет представлена на июньском симпозиуме VLSI Technology and Circuits Symposia, утверждается о возможности производства таких чипов в стандартных CMOS (КМОП) процессах по trench-технологии (технология uTrench).
Новые виды памяти, получившие название Chalcogenide RAM (C-RAM) и Phase Change Memory (PC-RAM or PRAM) используют тот факт, что в одной фазе вещество носителя является непроводящим аморфным (стеклоподобным) материалом, во второй – кристаллическим проводником. Запоминающие ячейки C-RAM способны обратимо переходить из одной фазы в другую под воздействием нагрева и электрических полей, а также, в отличие от обычной оперативной или флэш-памяти, устойчивы к воздействию ионизирующего излучения. Разумеется, вряд ли C-RAM способна составить серьезную конкуренцию традиционным видам памяти по быстродействию и энергопотреблению (все-таки для перехода из одной фазы в другую приходится задействовать пусть микроскопический, но нагревательный элемент, потребляющий большой ток).
По данным ST и Ovonyx, размер ячейки составляет 0,32 кв. мкм при выпуске по 0,18-мкм нормам. Потребляемый одной ячейкой ток составляет 600 мкА. Одна ячейка C-RAM способна выдержать 10-11 млрд. циклов перезаписи и обеспечивает хранение данных в течение до 10 лет при температуре не выше 110 градусов Цельсия.
Анонс чипа C-RAM, готового к выпуску в производство, стал результатом совместной работы компаний, начатой в 2000 году.