После некоторых проблем со 100-нм техпроцессом, южнокорейский производитель памяти, Samsung Electronics, официально сообщил о разрешении всех проблем и планах начала массового выпуска решений, выполненных с использованием этой технологии. В настоящее время, как отметил вице-президент по маркетингу и продажам памяти в американском филиале компании, Том Квинн, Samsung серийно поставляет линейку 512 Мбит микросхем DDR2 SDRAM, выполненных по нормам 100-нм техпроцесса, 1 Гбит микросхемы пока поставляются в качестве образцов.
Микросхемы, выполненные с использованием нового техпроцесса, выпускаются на 300-мм фабрике Samsung в Хвасоне; в будущем производитель планирует "трансформировать" 100-нм техпроцесс в 65-нм, что позволит компании удержать позиции лидера на рынке.
Судя по сообщениям источников, Samsung – единственная из четырех компаний (остальные три — Hynix, Infineon, Micron), решивших проблемы выпуском годных чипов, связанные с переходом с 0,11 на 0,10-мкм техпроцесс. Для корейского производителя решением проблемы оказалась замена материалов разрядной шины – вместо силицида вольфрама решено использовать вольфрам.
До начала выпуска микросхем по 0,10-мкм технологии Samsung развивала две параллельные, технологии. Одна предусматривала изучение перехода с 0,13 на 0,11-мкм техпроцесс, вторая – с 0,14 на 0,12-мкм технологию. Для перехода на 0,10-мкм узлы и меньше, Samsung пришлось "переработать" технологию производства коренным образом и теперь у корейского производителя имеется возможность выпускать микросхемы с соблюдением норм 90, 80 и 65-нм техпроцессов. Пока, правда, об этом говорить рано – ведь во втором квартале этого года только начнутся серийные поставки 1 Гбит микросхемы DDR2 SDRAM, выполненные по 0,10-мкм технологии.