Главная » Новости » 2004 » 03 » 20 20 марта 2004

Мировой рынок памяти: рейтинги производителей, новая память Samsung

Компания iSuppli ранжировала производителей DRAM и опубликовала результаты своего обзора. Забегая вперед, отметим, что рейтинги компаний практически не изменились с 2002 года – за тем лишь исключением, что Samsung потеряла 3,6% рыночной доли, в целом же десятка "лидеров" выглядит так:

2003 2002 Годовое изменение
Прибыль (млн. долл.) Рыночная доля Прибыль (млн. долл.) Рыночная доля Прибыль Изменения рыночной доли
1 Samsung 4,946.1 28.6% 4,985.0 32.2% —0.8% —3.6ppt
2 Micron 3,305.8 19.1% 2,791.0 18.1% 18.4% 1.1ppt
3 Infineon 2,810.6 16.3% 1,966.0 12.7% 43.0% 3.5ppt
4 Hynix 2,548.0 14.7% 1,962.0 12.7% 29.9% 2.0ppt
5 Nanya 795.3 4.6% 844.0 5.5% —5.8% —0.9ppt
6 Elpida 750.6 4.3% 615.0 4.0% 22.0% 0.4ppt
7 Mosel Vitelic 728.0 4.2% 302.0 2.0% 141.1% 2.3ppt
8 Powerchip 465.7 2.7% 260.0 1.7% 79.1% 1.0ppt
9 Winbond 321.0 1.9% 477.0 3.1% —32.7% —1.2ppt
10 Oki 131.0 0.8% 119.0 0.8% 10.1%
  Другие 493.7 2.9% 1,141.0 7.0% —56.7% —4.1ppt
  Итого 17,295.8 100% 15,462.0 100% 11.9%  

Не менее интересные сообщения поступают и от самих производителей. Так, например, компания Infineon Technologies планирует начать массовый выпуск чипов с использованием норм 0,11-мкм техпроцесса с 4 квартала 2004 года или 1 квартала 2005 года. И это – при том, что многие оптимистичные участники рынка прогнозировали, что серийный выпуск чипов по этому техпроцессу должен был начаться во втором квартале текущего года. В результате, обозреватели начали пересматривать свои прогнозы в отношении объемов поставок и цен памяти во второй половине этого года.

И в завершение – новость от лидера. Компания Samsung Electronics сообщила о выпуске новых микросхем памяти высокой плотности, Uni-transistor Random Access Memory (UtRAM), предназначенных, вследствие невысокого энергопотребления, для использования в мобильных телефонах. Корпусировка микросхем этого типа – MCP, которая позволяет уместить в одном чипе до 6 типов памяти, включая DRAM, NAND-флэш, SRAM, а теперь – и UtRAM.

UtRAM работает с тактовой частотой 80 МГц, что на 50% выше, чем 54 МГц SRAM и имеет синхронный интерфейс, обеспечивающий последовательное чтение и запись. Как отмечается в пресс-релизе компании, UtRAM может использоваться в качестве буферной памяти для NAND-флэш или NOR-флэш.

Микросхемы UtRAM в настоящее время уже доступны в качестве инженерных образцов, серийное производство микросхем запланировано на второй квартал 2004 года.

По материалам Digitimes, Samsung

10:09 20.03.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
март
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.