Главная » Новости » 2004 » 02 » 20 20 февраля 2004

Samsung: 512 Мбит XDR DRAM — вслед за Toshiba

Компания Samsung Electronics сообщила о выпуске микросхем XDR(eXtreme Data Rate) DRAM, работающих на тактовой частоте 3,2 ГГц и предназначеных для использования в оборудовании для широкополосных сетей, графических системах, бытовой электронике. Базируясь на технологии Rambus XDR, память имеет пропускную способность в 8 раз выше, чем у DDR400.

Как отмечается в пресс-релизе, образцы 512 Мбит компонентов XDR DRAM будут поставляться со следующего месяца – такой памятью будут оснащаться тестовые системы; массовое производство микросхем этого типа запланировано на конец этого года.

В планах компании – представление и 6,4 ГГц XDR DRAM. При использовании 128 битной шины, пропускная способность подсистемы памяти будет порядка 100 Гб/с, что в 16 раз выше, чем у существующих на сегодняшний день решений. Пропускная способность модулей XDIMM – 12,8-25,6 Гб/с, что в 4 раза выше, чем у модулей памяти DDR2 SDRAM с таким же числом контактов.

К настоящему моменту лицензию на использование интерфейса памяти Rambus приобрели Samsung, Elpida, Toshiba, которые, являясь ведущими игроками на рынке, смогут обеспечить продвижение этой памяти на рынке. Скажем прямо, солидная поддержка стандарта, а значит, шансы Rambus "сделать XDR DRAM mainstream-памятью к 2006 году " реальны. Напомним, что в середине декабря прошлого года компания Toshiba уже анонсировала такие микросхемы памяти и сообщала о своих дальнейших планах в этой области.

12:46 20.02.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.