Elpida: 256 Мбит чипы DDR2-533 SDRAM и 1 Гб SO-DIMM

Несмотря на то, что, как сегодня уже отмечалось, данных о сертификации Intel модулей памяти DDR2 SDRAM еще нет, сами производители анонсируют такие решения. В частности, компания Elpida сообщила о выпуске и начале поставок первых 1 Гб DDR2 SDRAM SO-DIMM, а также о поставках образцов 256 Мбит компонентов DDR2 SDRAM для серверов и настольных систем. Полная линейка микросхем и модулей DDR2 SDRAM будет представлена японским производителем на IDF.

Пока же ограничимся просто упоминанием решений, которые будут представлены: портфолио компонентов DDR2 SDRAM Elpida включает в себя 256, 512 Мбит и 1 Гбит версии, линейка модулей представлена 1 Гб SO-DIMM, небуферизованными 512 Мб и 1 Гб DIMM, регистровыми (registered) 512 Мб, 1 и 2 Гб DIMM. Все модули выполнены на 512 Мбит микросхемах DDR2 SDRAM.

Краткие характеристики 256 Мбит DDR2 SDRAM Elpida

  • Наименования — EDE2504AASE-5x/4x-E; EDE2508AASE-5x/4x-E; EDE2516AASE-5x/4x-E
  • Организация — 64M/32M/16M words x 4-/8-/16-bits соответственно
  • Техпроцесс – 0,11-мкм
  • Тактовая частота – 533 МГц
  • CAS Latency – 3, 4, 5
  • Длина пакета – 4,8
  • Напряжение питания – 1,8 В
  • Корпусировка – 64 или 84-контактный FBGA
  • Применение – 256 и 512 Мб регистровые DIMM, 256 Мб SO-DIMM

Краткие характеристики 1 Гб DR2 SDRAM SO-DIMM

  • Наименования — EBE11UD8ABDA-5x-E; EBE11UD8ABDA-4x-E
  • Шестнадцать 512 Мбит компонентов DDR2 SDRAM, в корпусе sFBGA (stacked FBGA)
  • Организация — 128M words x 64-bits x 2 ranks, пропускная способность – 533 Мбит/с

Данные о компонентах:

  • Техпроцесс – 0,11-мкм
  • Напряжение питания – 1,8 В
  • Длина пакета – 4,8
  • CAS Latency – 3, 4, 5
  • Внешняя калибровка выходного сигнала (off-chip output driver calibration, OCD)
  • Встроенная терминация (on-die termination, ODT)

16 февраля 2004 в 12:01

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29