Главная » Новости » 2004 » 01 » 08 8 января 2004

Winbond, ProMOS переходят на новые техпроцессы выпуска 1T PSRAM

Winbond Electronics и ProMOS Technologies сообщили о планах модернизации в этом году технологий выпуска 1T pseudo SRAM (1T PSRAM) для мобильных телефонов. Так, первый производитель "модернизируется" с 0,175 до 0,13-мкм техпроцесса. Как уже отмечалось ранее, компания планирует увеличить ежемесячный выпуск 1T PSRAM с 10 тыс. пластин в конце 2003 до 15 тыс. пластин в первом квартале 2004 года. Кроме того, небольшая часть мощности 12" фабрики также будет зарезервирована на 1T PSRAM (она начнет выпуск продукции в середине 2005 года).

ProMOS в этом году построит линию по выпуску этого типа памяти с использованием норм 0,12-мкм техпроцесса. Производительность имеющихся линий будет увеличена с 7 тыс. (в конце 2003 года) до 12 тыс. пластин в феврале. Основной упор при увеличении мощностей будет сделан на 1T PSRAM

  Техпроцесс Плотность чипов
Winbond 0,175-мкм 16, 32, 64, 128 Мбит
ProMOS 0,14-мкм 16, 32 Мбит

 

Источник: Slami

14:23 08.01.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
январь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.