Winbond Electronics и ProMOS Technologies сообщили о планах модернизации в этом году технологий выпуска 1T pseudo SRAM (1T PSRAM) для мобильных телефонов. Так, первый производитель "модернизируется" с 0,175 до 0,13-мкм техпроцесса. Как уже отмечалось ранее, компания планирует увеличить ежемесячный выпуск 1T PSRAM с 10 тыс. пластин в конце 2003 до 15 тыс. пластин в первом квартале 2004 года. Кроме того, небольшая часть мощности 12" фабрики также будет зарезервирована на 1T PSRAM (она начнет выпуск продукции в середине 2005 года).
ProMOS в этом году построит линию по выпуску этого типа памяти с использованием норм 0,12-мкм техпроцесса. Производительность имеющихся линий будет увеличена с 7 тыс. (в конце 2003 года) до 12 тыс. пластин в феврале. Основной упор при увеличении мощностей будет сделан на 1T PSRAM
| Техпроцесс | Плотность чипов | |
| Winbond | 0,175-мкм | 16, 32, 64, 128 Мбит |
| ProMOS | 0,14-мкм | 16, 32 Мбит |