На проходящем в эти дни в Бостоне семинаре Научного Общества Наук о Материалах представители Hitachi в Северной Америке сообщили о разработке нового процесса создания носителей информации из крошечных островков кобальта (Co) и палладия (Pd) наноскопических размеров на подложке из двуокиси кремния (SiO2, кварц). Сама по себе технология, быть может, была бы не столь интересна, так как в этом направлении уже было создано немало (разработка IBM – Millipede, углеродные нанотрубки с магнитной начинкой, органическая память HP Labs – Pedot и др.), однако помимо чисто академического интереса (говорится о возможности достижения плотности записи 1 трлн. бит на 1 кв. дюйм), есть и перспективы коммерческого использования – такие наноструктуры можно создавать в промышленных масштабах применяя нано-импринт литографию.
Таким образом, нано-импринт литография, едва успев заявить о себе в полный голос, может получить себе очень даже неплохое применение. В отличие от перечисленных выше подходов к созданию новых носителей повышенной плотности записи, технология Hitachi, разрабатываемая в сотрудничестве с IBM, использует традиционные методы контроля ориентации магнитных доменов (исключение составляют лишь упомянутые магнитные нанотрубки). В описываемом процессе создаются наноскопические магнитные домены с вертикально направленным вектором намагниченности (относительно поверхности кварцевой подложки). Ранее исследователи IBM сообщали о достижении плотности записи в 200 Гбит на 1 кв. дюйм.
Во-вторых, в процессе описывается подход создания «островков», изолирующих магнитные домены на размерах, меньше предельных для термодинамических флуктуаций (поскольку магнитные домены находятся не при абсолютном нуле, а при комнатной температуре, существует предел естественных размеров магнитного домена-структуры с упорядоченным вектором намагниченности отдельных молекул, меньше которого происходит самопроизвольное изменение намагниченности вследствие термодинамических флуктуаций).
В созданных на данный момент прототипах размеры наноостровков составляют 5-15 нм, расстояние между ними – 37 нм. В немецком Университете Дуисбурга-Эссена работают над созданием аналогичных наноостровков из железа и платины, способных самоорганизовываться в правильные гексагональные структуры на поверхности кремния. Если удастся достичь хороших результатов, то в результате в будущем можно будет говорить о самоорганизующихся носителях информации очень высокой плотности.