Корейский производитель памяти, компания Hynix Semiconductor, сообщила о начале серийного выпуска 256 Мбит чипов DDR SDRAM, выполненных с использованием норм 0,11-мкм техпроцесса. Очередной шаг вперед для выживающей фирмы – до сих пор большинство чипов производилось по 0,13-мкм технологии.
Вместо строительства новой фабрики компания модернизировала существующую линию – во-первых, это позволило снизить дополнительные затраты, а, во-вторых, на 40% повысить производительность линии. Напомним, что Фарад Табризи, вице-президент Hynix по мировому маркетингу, сообщил некоторое время назад, что в следующем году компания запустит линию, обрабатывающую 12" пластины.
Кстати, совсем недавно китайское печатное издание Economic Daily News сообщила, что Hynix часть производства передаст китайской компании GSMC (Grace Semiconductor Manufacturing Corporation).По данным газеты, Hynix планирует аутсорсинг производства чипов DRAM по 0,11 мкм нормам. Правда, официальное подписание соглашений планируется не раньше конца текущего года.
GSMC начала производство по 0,11-мкм нормам на одной из своих двух Шанхайских фабрик в прошлом апреле. Производительность компании к концу года должна составить около 10000 200-мм пластин ежемесячно. В будущем оба завода могут быть переоборудованы на использование 300-мм пластин.
Судя по всему, "поточное" производство чипов памяти по новым технологиям и привлечение к производству сторонних компаний — показатели того, что Hynix планирует еще побороться за свою долю на рынке и, вероятно, вернуть себе свое третье место в рейтинге производителей.