Японская компания Renesas Technology сообщила о планах сотрудничества с Powerchip Semiconductor; тайваньский производитель памяти будет выступать в качестве базы, которая позволит совместному предприятию Hitachi и Mitsubishi увеличить выпуск 1 Гбит чипов флэш-памяти. Начало серийного производства чипов памяти AND-флэш запланировано Powerchip на апрель-сентябрь будущего года.
К настоящему моменту Toshiba и Samsung контролируют практически весь 2,25-млрд. рынок флэш-памяти, однако Renesas все же планирует отвоевать свою рыночную долю – за счет выпуска памяти AND-флэш, практически идентичной NAND-флэш. Начав производство 1 Гбит чипов в сентябре, Renesas теперь выпускает 1,8 млн. таких чипов ежемесячно; с начала нового финансового года (апрель) компания планирует довести выпуск до 5 млн. чипов ежемесячно. Для сравнения: пытаясь удовлетворить растущий спрос, Toshiba с сентября выпускает 2,15 млн. 1 Гбит чипов флэш-памяти ежемесячно. Однако, совместному предприятию Hitachi и Mitsubishi еще далеко до японского производителя, который еще в марте представил 2 Гбит чипы памяти NAND-флэш, в планах же Renesas – начать массовое производство 4 Гбит чипов к концу 2004-2005 финансового года и 8 Гбит чипов – к концу 2006-2007 финансового года. Оба типа чипов будут производиться с использованием норм 90-нм техпроцесса. На базе же PSC компания будет использовать 130 нм техпроцесс.
Согласно официальному пресс-релизу Renesas, компания, если говорить точно, будет производить 1 Гбит чипы AG-AND флэш-памяти (Assist Gate-AND или AND со вспомогательным затвором). Эта память является разработкой самого совместного предприятия. Ячейка памяти этого типа выполнена с использованием технологии изоляции разработки Renesas и представляет собой комбинацию нескольких вспомогательных затворов, предотвращающих интерференции внутри ячейки, и плавающих затворов. Такая структура позволяет, по словам разработчиков, уменьшить размер ячейки и повысить быстродействие.