Intel: применение high-k диэлектриков позволит снизить токи утечки в 100 раз!

ПредыдущаяСледующая
1174

Согласно сообщению Intel, специалистам компании удалось совершить существенный прорыв в использовании новых материалов для производства чипов. Согласно этому заявлению, использование новых материалов позволит значительно сократить утечки тока, а значит значительным образом снизить энергопотребление микросхем и их тепловыделение.


Итак, уже в 2007 году Intel намерена начать использование специальных high-k диэлектриков в затворах транзисторных переходов, что, по мнению специалистов, позволит снизить утечки тока как минимум в 100 раз! Согласно известному Закону Мура, количество транзисторов в процессорах к тому времени вполне может приблизиться к 1 млрд. Планируется, что в 2007 году компания перейдет к нормам 45 нм техпроцесса. Именно на данном этапе привычный диоксид кремния в затворах будет заменен на пока что неназванный high-k диэлектрик. Наряду с этим, компания также планирует отойти от использования добавок поликристаллического кремния при формировании электрода затвора транзистора, и начать использование двух различных металлов, соответственно, для создания переходов в NMOS или PMOS типах транзисторов.



Суть нынешней проблемы с утечками, если обрисовать это схематически, заключается в следующем: толщина слоя диоксида кремния, применяемого нынче в затворах транзисторов в качестве диэлектрика, доведена до 5 атомов, что в свою очередь, приводит к туннелированию электронов сквозь слой окисла во "включенном" состоянии и увеличению энергопотребления. Переход к использованию high-k материалов ведет к тому, что ток, текущий по переходу во включенном состоянии, лишь незначительно превышает этот показатель в закрытом состоянии, и, соответственно, можно говорить о значительном снижении утечек.

Сам эффект снижения утечек от применения high-k окислов, как таковой, известен уже давно, однако, до сих пор ученые находятся в поиске материалов, наиболее подходящих для таких целей. Применение уже известных high-k материалов, например, оксида гафния, циркония и других обычно приводит к существенному снижению тока в канале под диэлектриком затвора, плюс, приводит к серьезным проблемам при установке порогового напряжения срабатывания затвора, особенно в транзисторах PMOS-типа.


Ожидается, что подробности о технологии применения новых high-k диэлектриках будут представлены Робертом Чоу (Robert Chau), ведущим разработчиком лаборатории Intel в Хиллсборо, Орегон, в четверг, на конференции International Gate Insulator Workshop в Токио. Презентация подробно описывает создание транзисторов NMOS и PMOS типов с физической длиной затвора порядка 80 нм и применением диэлектриков толщиной порядка 1,4 нм (14 Ангстрем).

5 ноября 2003 Г.

11:32

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Ноутбук Surface Book 2 пополнил список неремонтопригодных устройств Microsoft: Ноутбук Surface Book 2 получил iFixit один балл

Apple рассчитывает на помощь TSMC в разработке технологии micro-LED: Вопреки слухам, Apple не прекращает разработку micro-LED15

Google решит проблему с разговорным динамиком Pixel 2 в очередном обновлении: Обновление, исправляющее проблему с динамиком Pixel 2, выйдет в ближайшие недели10

Видео дня: Windows 95 и Simcity 2000 на смартфоне Apple iPhone X: Смартфон Apple iPhone X превосходит персональные компьютеры, для которых в свое время создавалась Windows 9530

Qualcomm сможет получить разрешение японских регуляторов на покупку NXP: Сделка между Qualcomm и NXP все может состояться до конца года1

Новый среднебюджетный смартфон Sony получит SoC Snapdragon 630 и ОС Android 8.0: Смартфон Sony H4133 получит Snapdragon 6301

Сканер отпечатка пальцев у смартфона OnePlus 5T выполнен из керамики: OnePlus 5T хорошо справился с испытаниями JerryRigEverything1

Apple сократила команду, работающую над технологией micro-LED в связи с технологическими проблемами: Устройств Apple с экранами micro-LED в ближайшее время ожидать не стоит15

Производители умных акустических систем в следующем году начнут наделять их нетипичными возможностями: Умные АС получат пико-проекторы и 3D-объективы3

997
1318

iXBT TV

  • Обзор материнской платы Z370 Aorus Gaming 7 под процессоры Coffee Lake

  • Обзор аккумуляторной дрели-шуруповерта Bosch GSR 12V-15 FC Professional

  • Заводские экзоскелеты, обновление Firefox, слишком умные наушники

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 3: стенд группы компаний РСК

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 2: стенд Intel

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 1: рейтинг Top500

  • Обзор кинотеатрального DLP-проектора LG PF1000U со встроенным ТВ-тюнером

  • Камера Panasonic G9, унитазный робот, игровой смартфон, кепка для водителей

  • Обзор портативной беспроводной колонки Sven PS-460

  • Обзор напольного пылесоса Tefal Silence Force 4A TW6477 с одноразовыми мешками для сбора мусора

  • Обзор сверхширокоугольного зум-объектива Canon EF 16-35mm f/2.8L III USM

  • Обзор изогнутого 34-дюймового IPS-монитора LG 34UC99 с соотношением сторон 21:9 и белым корпусом

1212

Календарь

ноябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс

Рекомендуем почитать