Сингапурский контрактный производитель чипов, компания Chartered Semiconductor Manufacturing подписала договор с MoSys о выпуске 1T-SRAM-Q с использованием норм 0,13-мкм техпроцесса. К настоящему моменту Chartered уже освоила выпуск чипов 1T-SRAM по нормам 0,18 и 0,13-мкм техпроцессов и в настоящее время осваивает выпуск этих решений с использованием 90-нм технологии.
Соответственно, расшифровывается название довольно просто: 1Т – однотранзисторная, - статическая оперативная память и Q (Quad density) – четырехкратная.
Компания отмечает, что поскольку аппетиты у мобильных устройств на память постоянно растут, необходимо изыскивать способы уменьшения размеров ячеек памяти. Размеры одной ячейки составляют порядка 0,5 и 0,28 мкм при производстве по 0,13 и 0,09-мкм нормам, что позволяет производить 128 и 256-Мбит чипы.
