Компания Micron Technology объявила о начале поставок опытных партий 1 Гбит чипов DDR2 SDRAM. Именно на таких чипах возможно производство 4 Гб модулей памяти DDR2, которые также были представлены компанией в ограниченных количествах.
Новые 1 Гбит чипы DDR2-400 и DDR2-533 выполнены с соблюдением норм 0,11 мкм техпроцесса. Краткие основные характеристики чипов семейства DDR2 SDRAM:
- VDD = 1,8 В, VDDQ = 1,8 В
- I/O = SSTL_18
- Линейная скорость обмена данными: 400 Мбит/с на контакт или 533 Мбит/с на контакт
- Производительность: до 3200 Мб/с или 4300 Мб/с в 64-битных системах
- Организация: 4 банка для 256 Мбит и 512 Мб чипов, 8 банков для 1 Гбит и 2 Гбит чипов
- Поддерживаемые длины пакетов: 4 или 8
- Задержка на запись данных: WRITE latency = READ latency — 1 такт
- Опциональная поддержка двунаправленного стробирования READ latency: 3, 4, and 5
- Программируемые дополнительно вводимые задержки выдачи CAS# (Programmable additive CAS Latency): 0, 1, 2, 3 и 4 такта
- Дифференциальное стробирование (differential strobe)
- Внешняя калибровка выходного сигнала (off-chip output driver calibration, OCD)
- Встроенная терминация (on-die termination, ODT)
- Корпусировка: FBGA