Rambus заявила о том, что в планах компании к 2006 году сделать XDR DRAM mainstream-памятью на рынке. По оценкам специалистов компании, это необходимо, поскольку на рынке появляются новые, быстродействующие процессоры, операционные системы и приложения, требования которых к памяти уже практически превышают возможности существующих mainstream-решений.
Топология XDRПропускная способность XDR DRAM, работающей на частоте 3,2 ГГц почти в 8 раз выше, чем у top-end памяти, используемой в системах в настоящее время, в дальнейшем будет представлена и 6,4 ГГц XDR DRAM. При использовании 128 битной шины, пропускная способность подсистемы памяти будет порядка 100 Гб/с, что в 16 раз выше, чем у существующих на сегодняшний день решений. Пропускная способность модулей XDIMM – 12,8-25,6 Гб/с, что в 4 раза выше, чем у модулей памяти DDR2 SDRAM с таким же числом контактов.
В планах производителя предложить модули на на чипах плотностью от 256 Мбит до 8 Гбит с архитектурой от x1 до x32.
Архитектура чипаК настоящему моменту лицензию на использование интерфейса памяти Rambus приобрели Samsung, Elpida, Toshiba, которые, являясь ведущими игроками на рынке, смогут обеспечить продвижение этой памяти на рынке. К тому же, Rambus обеспечила производителей всей информацией, необходимой для представления XDR в качестве mainstream-памяти: оговорены характеристики чипов XDR DRAM с программируемой длиной пакета, организации модулей, весь набор компонентов, включая буферы, тактовые генераторы, и т.п., представлена вся необходимая документация.