Инициативная группа под названием "X Initiative", созданная летом 2001 года для продвижения технологии применения диагональных соединений между слоями металлизации при производстве чипов, объявила о том, что постоянный участник группы, компания Toshiba, выпустила первый кремний с нормами 90 нм и применением такой архитектуры.
Суть новой технологии заключается в создании специальных блоков (тайлов), в которых используются диагональные соединения, созданные с помощью технологии "жидкой маршрутизации" и позволяющей создать эффективную систему диагональной маршрутизации внутри блока. Затем тайлы объединяются с помощью обычных ортогональных соединений. Сама концепция тайловой технологии была разработана ArTile, дочерним предприятием Toshiba, еще в 2001 году. Нынче в индустрии общепринятой считается прямоугольная разводка соединений типа "Manhattan".
Экспериментальные чипы Toshiba с пятислойной металлизацией были выпущены на опытной 90 нм фабрике Toshiba с применением стандартного оборудования и материалов. Особенно подчеркивается, что по сравнению с общепринятой технологией Manhattan, применение X Architecture для разводки того же чипа сокращает длину соединительных линий на 14%.
Остается лишь добавить, что Toshiba планирует начать массовый выпуск чипов с применением X Architecture в 2004 году. Что касается рабочей группы X Initiative, то сейчас в нее входит приличное количество авторитетных компаний отрасли, например, Applied Materials, ARM, Artisan Components, ASML, Cadence Design Systems, Dai Nippon Printing, DuPont Photomasks, Applied Materials, Leica Microsystems, Matsushita Electric Industrial, Nikon, Sanyo Electric, Silicon Valley Research, STMicroelectronics, Toppan Printing, Toshiba и другие. Подробнее с материалами группы можно ознакомиться на сайте X Initiative.