Главная » Новости » 2003 » 10 » 02 2 октября 2003

Логические элементы будущего: на базе ячеек MRAM

До сих традиционным подходом к построению вычислительных машин было разделение узлов, обрабатывающих данные и узлов, их хранящих. Впрочем, ученые Андреас Ней (Andreas Ney) и Поль Друд (Paul Drude) из Берлинского Технологического Института считают, что можно объединить элементы, обрабатывающие и хранящие данные в один, построенный на основе магнитной запоминающей ячейки. Ученые утверждают, что их логический элемент может выполнять любую из четырех базовых логических операций: И (AND), ИЛИ (OR), И-НЕ (NAND) и ИЛИ-НЕ (NOR).





Структура логического элемента повторяет структуру запоминающей ячейки магниторезистивной памяти (MRAM), состоящей из двух ферромагнитных слоев, разделенных проводящим слоем. Если намагниченности обоих слоев совпадают (параллельны), электрическое сопротивление ячейки мало – это соответствует логической единице. Если намагниченности слоев направлены в разные стороны (если точнее, антипараллельны), то электрическое сопротивление ячейки велико, и это состояние соответствует логическому нулю.

Намагниченность, в свою очередь, меняет свою величину и направление, когда по входным каналам пропускается ток (больший некоторого порога). При использовании двух входных каналов ячейка (в зависимости от направления тока в выходном канале) ведет себя как элемент И или ИЛИ. А добавив третий входной канал, исследователи получили инвертор. При этом ячейка по-прежнему может быть использована как энергонезависимый запоминающий элемент.

Источник: CDRLabs

12:07 02.10.2003
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2003

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.