IBM представила прототипы чипов, построенных на новом виде биполярных кремний-германиевых транзисторов и, как утверждается, потребляющих в пять раз меньше электроэнергии по сравнению с используемыми в настоящее время чипами для беспроводных коммуникаций.
Чип, детали которого IBM представила на Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting в Тулузе, состоит из тонкого слоя SiGe на SOI (Кремний-Окисел-Диэлектрик)-подложке.
Ожидается, что выпуск чипов будет освоен с применением 65 и, в дальнейшем, 45-нм норм. Компания прогнозирует, что новые чипы можно будет увидеть в коммерческих продуктах уже через пять лет.