Главная » Новости » 2003 » 09 » 29 29 сентября 2003

Samsung: 4 Гбит NAND-флэш, Fusion Memory и новые техпроцессы

Компания Samsung Electronics Co., Ltd. сообщила о выпуске 4 Гбит чипов NAND-флэш, выполненных с использованием норм 70-нм техпроцесса, а также чипы DRAM, выполненные с использованием норм 80-нм техпроцесса. Кроме того, корейский производитель анонсировал одночиповое решение, fusion memory (этакая "комбинированная память"), объединяющее в себе концепции MCP и SIP.

Однако, обо всем по порядку. Появление 4 Гбит NAND-флэш дает возможность разработки флэш-карт емкостью 8 Гб; с другой стороны, использование этой памяти в MP3-плеерах даст устройствам возможность хранить до 170 часов музыки в формате MP3. Размер ячейки нового чипа NAND-флэш составляет 0,025 нм². По оценкам специалистов компании, новые вольфрамовые затворы, использованные в этом решении, могут использоваться при производстве чипов с технологическими нормами до 50 нм.

Как считают аналитики, мировой рынок NAND-флэш может вырасти с 3 млрд. долларов в 2003 году до 16 млрд. долларов к 2007 году. Лидером на рынке останется, судя по всему, по-прежнему Samsung, контролирующая 65% рынка.

Как уже отмечалось, вторым решением, представленным корейским производителем, является 512 Мбит чип DRAM, выполненный по нормам 80-нм техпроцесса. Чипы выполнены с использованием технологии RCAT (Recess Channel Array Transistor), которая дает возможность уменьшить размер ячейки за счет создания 3D-транзистора для каждого конденсатора в цепи, таким образом, значительно повышая плотность. В новых чипах DRAM использованы вольфрамовые затворы с низким сопротивлением – для повышения производительности и снижения температуры. Серийное применение новой технологии начнется с выпуском чипов плотностью от 512 Мбит до 1 Гбит с пропускной способностью 3 Гбит и выше.

И, наконец, fusion memory, концепт интегрированной, одночиповой памяти. Первыми чипами такого типа стали 512 Мбит чипы NAND-флэш, OneNAND, объединившие в себе память и "логику". По оценкам специалистов компании, появление этого типа памяти даст разработчикам систем возможность отказаться от использования комбинации "NOR+память" и перейти только на OneNAND.

11:05 29.09.2003
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС на iXBT.com

Есть ли у Вас внешний аккумулятор (PowerBank)?
сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
2003

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.