Полнофункциональный прототип комплекса по выпуску чипов с использованием 0,01 мкм технологического процесса – всего лишь 5,6% от широко распространенного в настоящее время 0,18 мкм техпроцесса – был продемонстрирован на этой неделе консорциумом EUV LLC, в который, помимо
Intel,
AMD,
IBM,
Motorola,
Micron,
Infineon, входят национальные исследовательские лаборатории США: Lawrence Berkeley National Laboratory, Lawrence Livermore National Laboratory и Sandia National Laboratories.
Крэйг Барретт (Craig Barrett), CEO компании Intel, заявил на собранной по этому поводу пресс-конференции, что первые промышленные EUV системы появятся "в течение ближайших двух лет".
Технология EUV (Extreme UltraViolet Technology, сверх-ультрафиолетовая технология, устоявшегося термина в русском языке пока нет) разрабатывается для производства чипов с размерами элементов менее 100 нм (0,10 мкм), поскольку применяемая в настоящее время технология DUV (Deep Ultraviolet) практически исчерпала свой ресурс. EUV - один из кандидатов на звание "литографии будущего поколения чипов", наряду с технологией EPL (Electron-beam Projection Lithography, электронно-лучевая проекционная литография), основными поборниками которой являются
Nikon и все та же IBM.
