Несмотря на то, что оба тайваньских лидера в производстве чипов -
TSMC и
UMC, объявили переход на один и тот же 0,13 мкм процесс, имеется существенная разница в примененных технологических подходах компаний. Это касается и различных типов low-k диэлектриков, и встраиваемой в чип памяти и пр., что в дальнейшем обязательно отразится на задержках в RC-цепях, размерах самих чипов, производительности и потребляемой мощности.
К примеру, UMC готова встраивать память DRAM и SRAM в свои чипы, причем SRAM объемом до 4 Mбит, основанную на шеститранзисторных ячейках SRAM размерами всего 2,28 кв. мкм, а для заказчиков, требующих 8 Mбит и более, компания портирует 0,31 кв. мкм "сотовую" DRAM, в шесть раз меньшую, чем 6T SRAM. Технология разработана партнерами UMC - IBM и Infineon.
В качестве альтернативы DRAM, TSMC продвигает однотранзисторную SRAM с планарными конденсаторами. Меньшая по размерам. чем шеститранзисторная ячейка SRAM, но большая по размерам, чем DRAM, 1T SRAM имеет размер ячейки 1,1 кв. мкм. В целях получения размеров ячейки, сравнимых с DRAM, компания в настоящее время в партнерстве с Mosys Inc. разрабатывает 0,67 кв. мкм версию 1T SRAM. В то же время TSMC не отказалась от идеи встроенной DRAM и работает над новыми типами ячеек DRAM, в том числе с конденсаторами "метал-диэлектрик-метал" на новых диэлектрических материалах.
TSMC и UMC также разделились во взглядах на выбор low-k диэлектриков. Как и партнеры, UMC выбрала диэлектрик SiLK производства Dow Chemical Co. с k-фактором 2.65. TSMC решила использовать диэлектрик Black Diamond от Applied Materials Inc. с k-фактором всего 2.9 - 3.0. SiLK, по мнению специалистов TSMC, слишком сложен для внедрения из-за пористой структуры материала. Black Diamond, по их мнению, поможет снизить задержки в RC-цепях на 22%. [Справка: широко используемый в настоящее время диэлектрик - фторсиликатное стекло (FSG) – имеет k-фактор 3.6].
Полный список различий технологий TSMC и UMC можно просмотреть в этой таблице:
Источник:
EE Times 
Источник: EE Times