Sorry, temp error.
Главная » Новости » 2001 » 06 » 25 25 июня 2001

210 ГГц транзисторы от IBM

IBM объявила, что ей удалось создать самый быстрый в мире кремниевый транзистор. IBM рассчитывает, что это открытие позволит ей довести скорость микропроцессоров до 100 ГГц в течение ближайших двух лет – в пять раз быстрее и на два года раньше, чем недавно предполагали конкуренты. Ведущие производители коммуникационного оборудования уже начали работать с новой технологией IBM для создания более быстрых и эффективных продуктов, повышающих скорость работы современных сетей.

Транзистор использует уже испытанную кремний-германиевую (SiGe) технологию IBM и новые разработки, достигая скорости 210 ГГц, потребляя около 1 мА тока. Эти результаты превышают показатели существующих транзисторов на 80% по скорости, при снижении энергопотребления на 50%.

Скорость работы транзистора в значительной степени определяется скоростью прохождения тока через него. Это зависит от материала, из которого изготовлен транзистор, а также его размера. Стандартные транзисторы изготавливались из обычного кремния. В 1989 году IBM представила разработку, изменяющую базовый материал, добавив в кремний элементы германия, заметно увеличив скорость тока в транзисторе, что улучшило производительность и снизило энергопотребление.

В объявленном сегодня достижении, IBM объединила свои SiGe-технологии с изменением дизайна транзистора для сокращения пути электрического тока, что привело к дальнейшему увеличению скорости.

В стандартных транзисторах ток проходит горизонтально, и сокращение его пути связано с уменьшением ширины транзистора – чрезвычайно сложной задачей на сегодняшнем технологическом уровне. Разработанный IBM транзистор – названный “биполярным транзистором с гетеропереходом” (heterojunction bipolar transistor, HBT) – имеет альтернативную конструкцию с вертикальным направлением тока. Уменьшение толщины транзистора за счет толщины SiGe-слоя – решаемая в процессе производства задача, благодаря чему IBM удалось сократить длину пути электричества и достичь улучшения производительности.

Преодолен барьер скорости, гонка за увеличением производительности сетевых устройств вышла на новый уровень. Еще одно преимущество новой SiGe-технологии IBM в том, что ее внедрение возможно на имеющихся производственных линиях, снижая время и цену перестройки производства. Это тоже позволит расширить применение SiGe-чипов для добавления функциональности и снижения энергопотребления – т.е. увеличения жизни аккумуляторов – мобильным телефонам и другим беспроводным устройствам.

Что ж, успех в SiGe технологиях стал очередным в ряде улучшений в материалах микросхем, подтверждая технологическое лидерство IBM, начатое с использования меди вместо алюминия в проводниках, продолженное созданием изоляционного материала "low-k", технологии кремний-на-изоляторе (silicon-on-insulator, SOI) и “растянутого” кремния.
IBM уже ведет работы с десятками телекоммуникационных компаний по внедрению SiGe в широкий спектр продуктов, используя имеющиеся центры разработки в Уолтхэме, Ист Фишкилле и Энсинитасе, США и в Ля Годе во Франции.

Источник: IBM.ru

  • Теги:
22:55 25.06.2001
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС на iXBT.com

Есть ли у Вас внешний аккумулятор (PowerBank)?
июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2001

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.