210 ГГц транзисторы от IBM

1174
IBM объявила, что ей удалось создать самый быстрый в мире кремниевый транзистор. IBM рассчитывает, что это открытие позволит ей довести скорость микропроцессоров до 100 ГГц в течение ближайших двух лет – в пять раз быстрее и на два года раньше, чем недавно предполагали конкуренты. Ведущие производители коммуникационного оборудования уже начали работать с новой технологией IBM для создания более быстрых и эффективных продуктов, повышающих скорость работы современных сетей.

Транзистор использует уже испытанную кремний-германиевую (SiGe) технологию IBM и новые разработки, достигая скорости 210 ГГц, потребляя около 1 мА тока. Эти результаты превышают показатели существующих транзисторов на 80% по скорости, при снижении энергопотребления на 50%.

Скорость работы транзистора в значительной степени определяется скоростью прохождения тока через него. Это зависит от материала, из которого изготовлен транзистор, а также его размера. Стандартные транзисторы изготавливались из обычного кремния. В 1989 году IBM представила разработку, изменяющую базовый материал, добавив в кремний элементы германия, заметно увеличив скорость тока в транзисторе, что улучшило производительность и снизило энергопотребление.

В объявленном сегодня достижении, IBM объединила свои SiGe-технологии с изменением дизайна транзистора для сокращения пути электрического тока, что привело к дальнейшему увеличению скорости.

В стандартных транзисторах ток проходит горизонтально, и сокращение его пути связано с уменьшением ширины транзистора – чрезвычайно сложной задачей на сегодняшнем технологическом уровне. Разработанный IBM транзистор – названный “биполярным транзистором с гетеропереходом” (heterojunction bipolar transistor, HBT) – имеет альтернативную конструкцию с вертикальным направлением тока. Уменьшение толщины транзистора за счет толщины SiGe-слоя – решаемая в процессе производства задача, благодаря чему IBM удалось сократить длину пути электричества и достичь улучшения производительности.

Преодолен барьер скорости, гонка за увеличением производительности сетевых устройств вышла на новый уровень. Еще одно преимущество новой SiGe-технологии IBM в том, что ее внедрение возможно на имеющихся производственных линиях, снижая время и цену перестройки производства. Это тоже позволит расширить применение SiGe-чипов для добавления функциональности и снижения энергопотребления – т.е. увеличения жизни аккумуляторов – мобильным телефонам и другим беспроводным устройствам.

Что ж, успех в SiGe технологиях стал очередным в ряде улучшений в материалах микросхем, подтверждая технологическое лидерство IBM, начатое с использования меди вместо алюминия в проводниках, продолженное созданием изоляционного материала "low-k", технологии кремний-на-изоляторе (silicon-on-insulator, SOI) и “растянутого” кремния.
IBM уже ведет работы с десятками телекоммуникационных компаний по внедрению SiGe в широкий спектр продуктов, используя имеющиеся центры разработки в Уолтхэме, Ист Фишкилле и Энсинитасе, США и в Ля Годе во Франции.

Источник: IBM.ru

25 июня 2001

22:55

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Водоблок Alphacool Eisblock Flatboy предназначен для процессоров AMD Ryzen Threadripper : Пока изделие находится в стадии прототипа

Фотогалерея дня: смартфон Samsung Galaxy Note8 предстал на «живых» снимках: Samsung Galaxy Note8 позирует живьём2

Asus обновит до Android O все смартфоны семейств ZenFone 4 и ZenFone 3: Смартфоны Asus ZenFone 3 тоже получат Android O1

Толщина смартфона Sony Xperia XZ1 Compact составит почти 10 мм: Появилось видео со смартфоном Sony Xperia XZ1 Compact 31

Intel планирует выпуск набора системной логики B360: Набор системной логики Intel B360 будет представлен в 2018 году9

Ericsson уволит около 25 000 человек: Ericsson сократит почти четверть своего штата сотрудников15

Смартфон Asus ZenFone 4 Max Pro выделяется сдвоенной камерой и ёмким аккумулятором: Asus наделила ZenFone 4 Max Pro сдвоенной камерой11

Смартфоны Asus ZenFone 4 Selfie и ZenFone 4 Selfie Pro получили сдвоенные фронтальные камеры: Asus представила смартфоны ZenFone 4 Selfie и ZenFone 4 Selfie Pro2

Представлены смартфоны Asus ZenFone 4 и ZenFone 4 Pro : Asus представила семейство смартфонов ZenFone 48

ВИКТОРИНА ASUSTOR

Процессор с какой архитектурой установлен в ASUSTOR AS6302T, благодаря которому производительно выросла на 30% по сравнению с прошлым поколением?
1318

iXBT TV

  • Обзор кинотеатрального DLP-проектора BenQ W11000 с эмуляцией разрешения 4К

  • AMD Ryzen Threadripper 1920Х и 1950X — тестирование 12-ядерного и 16-ядерного процессоров

  • Обзор мини-ПК ECS Liva Z на базе процессора Apollo Lake

  • Самый лучший процессор, неудачи Microsoft, гибкие наушники Samsung

  • Обзор цветного МФУ Xerox VersaLink C405 для малых и средних офисов

  • Обзор умного чайника Redmond SkyKettle RK-G200S с подсветкой и нагревом воды до нужной температуры

  • Конфигурируем мини-ПК: изучаем влияние памяти и накопителя на быстродействие системы

  • 3D-карты AMD Radeon RX Vega, цены, спецификации, смартфон Meizu Pro 7

  • Обзор лазерного цветного МФУ Canon imageRunner Advance C3520i, младшего в новой линейке

  • Обзор робота-пылесоса iBoto Aqua V710 с функцией влажной уборки

  • Обзор электрической скороварки Unit USP-1090D: готовим под давлением

  • Обзор материнской платы Gigabyte GA-Z270-Gaming K3 c возможностью подъема напряжения на USB-портах

1212

Календарь

июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс

Рекомендуем почитать