Samsung Electronics, став второй после Toshiba, сообщила о начале массового производства 512 Мбит чипов NAND флэш-памяти.
Продукты, выполненные с использованием 0,15 мкм техпроцесса, будут доступны в виде одночиповых 512 Мбит модулей (K9F1208U0M-YCBO/YIBO), 1 Гбит двухчиповых модулей (K9K1G08U0M-YCBO/YIBO), а также в виде 128 Мб флэш-карт формата SmartMedia.
Samsung, продавшая в 2000 году 38 млн. чипов флэш-памяти, в настоящее время занимает до 35% мирового рынка этой продукции и намерена довести объемы выпуска в 2001 году до 143 млн. чипов.