Главная » Новости » 2001 » 09 » 19 19 сентября 2001

Еще одни low-k диэлектрик, от Mitsubishi

Mitsubishi Electric объявила о разработке нового low-k материала для применения в качестве межслойного диэлектрика при производстве полупроводников по 0,07 мкм техпроцессу.

Ни для кого не секрет, с каким списком новых проблемам столкнулись производители чипов при переходе даже на 0,13 мкм нормы, а при переходе на 0,10/0,07 мкм, как показывают сообщения, их еще больше. Например, традиционные диэлектрики с коэффициентом low-k порядка 2,3 абсолютно непригодны для таких норм. По словам исследователей из Mitsubishi Electric, полученный ими полимер полиборазилен polyborazylene (насколько я понял, производное нитрида бора с полимерной структурой) имеет значение k порядка 1,85 – 1,87, выдерживает термообработку до 465 градусов Кельвина, и, самое главное, имеет подходящие характеристики жесткости и упругости, не теряемые в процессе размельчения и шлифовки. Словом, полиборазилен, уже испытанный в лаборатории Mitsubishi в качестве диэлектрика для многослойных плат, является пока что одним из лучших материалов для применения в 0,07 мкм техпроцессе.

Заглядывая дальше 2005 года, представители Mitsubishi пока затрудняются в предположениях, сможет ли этот материал быть использован при создании 60 нм и менее узлов. Однако, так далеко заглядывать пожалуй, еще рано. Зато в интервью EE Times, Mitsubishi не преминула напомнить о том, что планирует запустить свой 100 нм техпроцесс уже в 2003 году.

Источник: Silicon Strategies

14:32 19.09.2001
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2001

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.