Intel дополняет спецификацию JEDEC DDR SDRAM

Intel, сама не производящая память DDR SDRAM, тем не менее, в обозримом будущем будет производить массу продуктов для DDR SDRAM систем. Именно поэтому, компания опубликовала 22-страничный документ "Intel DDR 266 JEDEC Specification Addendum Rev 0,9", добавляющий к уже принятому JEDEC в июне 2000 года стандарту JESD79R1 на продукты памяти DDR266 специфические требования Intel.

Как известно, спецификации DDR266 SDRAM, принятые JEDEC, всего лишь описывают классы продуктов SDRAM DDR200, DDR266B и DDR266A, но не уточняют специфические требования для каждой подгруппы по таким важным параметрам как задержка RAS-CAS (RAS-to-CAS-Delay) tRCD и время регенерации RAS – tRP, нормируемое в обоих случаях как 20 нс.

Что сделала Intel: в дополнение к стандарту JESD79R1, описывающему общие параметры модулей DIMM PC2100-2533 (с чипами DDR266B и CAS 2,5) и PC2100-2033 (с чипами DDR266A и CL 2), дополнительная спецификация от Intel дорабатывает текущий стандарт схемой 2-2-2, то есть:

  • DDR266B (tCK і 7.5 ns, CL=2.5, tRCD=3, tRP=3)
  • DDR266A (tCK і 7.5 ns, CL=2, tRCD=3, tRP=3)
  • DDR266 (tCK і 7.5 ns, CL=2, tRCD=2, tRP=2)

Благодаря введению tRCD и tRP, равных 15 нс, Intel дополняет существующие стандарты 266А/В описанием схемы 2-2-2. DIMM модули PC2100-2022, в таком случае, смогут работать быстрее и, что немаловажно, на обычной схеме 3-3-3 или 3-2-2 новые модули будут работать устойчивее, чем PC2100-2033.

26 сентября 2001 в 11:22

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс