Главная » Новости » 2001 » 10 » 05 5 октября 2001

0,11 мкм. От Fujitsu

Fujitsu Microelectronics America (американское отделение компании), 10 октября намерена представить разработанный ею 0,11 мкм CMOS техпроцесс. Компания заявила, что готова производить пластины по этому техпроцессу уже в начале 2002 года.

Суть технологии, заключается в использовании диоксида кобальта (CoO2) наряду с медными соединениями. Было бы любопытно узнать, фотошаблоны какого поколения будут использоваться при этом процессе - DUV или уже EUV? Однако, эту сторону вопроса Fujitsu пока не озвучила.

Известные подробности: напряжение ядра – 1,2 В, аналоговые и I/O цепи – 2,5 и 3,3 В.

Так же планируется представить новую технологию выпуска дисплеев, ориентированную на 0,35 мкм техпроцесс (ЖК-кристаллы на кремниевой подложке, Liquid Crystal on Silicon, LCOS) для производства CMOS сенсоров, а также высоковольтный 0,65 мкм и 0,5 мкм техпроцесс.

Мы обязательно проследим за подробностями этого события, ибо промышленного внедрения 0,11 мкм в 2002 году пока не обещал еще ни кто...

11:02 05.10.2001
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2001

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.