На лас-вегасской выставке Comdex 2001 компании Toshiba и SanDisk официально представили совместно разработанный NAND чип флэш-памяти емкостью 1 Гбит.
Новинка будет производиться по тому же 0,16 мкм техпроцессу, что и 512 мегабитные модули. В основе нового продукта лежит запатентованная технология многоуровневых ячеек (multi-level cell, MLC), разработанная SanDisk, которая позволяет записывать два бита данных в одну ячейку памяти, удваивая тем самым ее объем. Два гигабитных модуля можно разместить в одном корпусе TSOP, что дает возможность производить чипы емкостью 2 Гбит или 256 Мб.
Применение модулей на основе технологии MLC как в виде встроенных чипов, так и в виде съемных карт позволит значительно увеличить объемы памяти сотовых телефонов, цифровых камер, MP3-плееров.
Поставляться модули будут двумя компаниями независимо друг от друга. Карты CompactFlash, MultiMediaCard и Secure Digital на их основе появятся в первой половине следующего года.