Главная » Новости » 2001 » 12 » 06 6 декабря 2001

Новая встраиваемая DRAM от NEC

NEC Electron Devices представила новую технологию производства встраиваемой DRAM. Эта технология позволяет создавать eDRAM по 0,13 мкм техпроцессу.

Встраиваемая память, сделанная с использованием этого ноу-хау от NEC может работать на скоростях до 450 МГц при рабочем напряжении всего в 1,2 В. Вскоре компания собирается продемонстрировать все прелести новой технологии в 16 Мбит тестовом чипе.

Представители компании заявили, что их новый 0,13 мкм процесс работает гораздо лучше чем 0,15 мкм технология производства eDRAM от NEC предыдущего поколения. Первые образцы чипов с использованием 0,13 мкм eDRAM процесса должны появится уже в январе следующего года, а массовое производство намечено на лето 2002.

Источник: EE Times

11:37 06.12.2001
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2001

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.