NEC Electron Devices представила новую технологию производства встраиваемой DRAM. Эта технология позволяет создавать eDRAM по 0,13 мкм техпроцессу.
Встраиваемая память, сделанная с использованием этого ноу-хау от NEC может работать на скоростях до 450 МГц при рабочем напряжении всего в 1,2 В. Вскоре компания собирается продемонстрировать все прелести новой технологии в 16 Мбит тестовом чипе.
Представители компании заявили, что их новый 0,13 мкм процесс работает гораздо лучше чем 0,15 мкм технология производства eDRAM от NEC предыдущего поколения. Первые образцы чипов с использованием 0,13 мкм eDRAM процесса должны появится уже в январе следующего года, а массовое производство намечено на лето 2002.
Источник: EE Times