В новой микросхеме для создания миниатюрных транзисторов использован так называемый переход Джозефсона. Этот переход - две пары тонкопленочных изоляторов, между которыми находится сверхпроводник, который может достичь сверхпроводимости при температуре -233 С° (40 К). Когда это состояние достигнуто, устройство становится контролируемым источником магнитного поля.
Токийским ученым удалось сделать ИС, создав пять таких слоев из изолятора и сверхпроводника на подложке.
Хотя пока что до степени интеграции современных полупроводниковых ИС далеко, ученые верят, что всего через несколько лет возможны будут сравнимые степени интеграции. Современные прототипы их чипов потребляют на 46% меньше энергии, чем традиционные полупроводники. Кроме того, если верить исследователям, то в ближайшем будущем по подобной технологии можно будет сделать устройство, способное распознавать уровни оптического сигнала в оптоволокне.
Ученые настроены оптимистично и говорят о том, что их технология уже вскоре может быть применена в телекоммуникационной отрасли для уменьшения затрат на энергию. Однако, тут логично спросить, а не обойдется ли охлаждение до 233 градусов ниже нуля в большие деньги, чем сэкономленные на электричестве, разработке и установке такого специфического устройства? Ответы, естественно, даст только время.
Источник: The Daily Yomiuri