Сегодня подразделение IBM Microelectronics объявило о выпуске интегрированных радиочастотных усилителей мощности, изготовленных на основе кремниево-германиевой (SiGe) технологии.
Кремниево-германиевые микросхемы выделяют значительно меньше тепла, чем их конкуренты на на основе GaAs, благодаря лучшей теплопроводности SiGe, что позволяет существенно повысить термостойкость устройств. Кроме того, технология BiCMOS на кремниево-германиевой основе позволяет реализовать множество функций на одном чипе, усилители мощности можно сделать сверхминиатюрными, снизив общий объем, занимаемый ими на материнской плате устройства.
Сегодня было анонсировано три SiGe усилителя мощности, образующих единое семейство. Усилитель мощности IBM 2022 TDMA IS-54 предназначен для устройств, работающих в стандарте сотовой связи TDMA (Time Division Multiple Access - стандарт множественного доступа со временным разделением каналов) 800 МГц; усилитель мощности IBM 2018 CDMA IS-95 предназначен для устройств, работающих в стандарте сотовой связи CDMA (Code Division Multiple Access - стандарт множественного доступа с кодовым разделением каналов) 800 МГц; IBM 2017 PCS CDMA IS-95 для стандарта CDMA 1900 МГц.
Все три усилителя производятся IBM по технологии BiCMOS 5AM 0,35 мкм. Новые микросхемы будут производиться на заводе IBM в Барлингтоне, штат Вермонт, США.
Усилитель мощности IBM 2022 TDMA уже выпущен на рынок, IBM 2017 PCS CDMA на сегодняшний момент существует в виде прототипа, а прототип усилителя мощности IBM 2018 CDMA появится в следующем месяце.